SK海力士称存储市场全面转为卖方主导，DRAM与NAND价格持续大涨

2026年2月23日，全球存储领域重要厂商SK海力士在近期举行的高盛电话会议中指出，全球存储器市场已全面进入卖方主导阶段，2026年全年DRAM与NAND闪存芯片价格将持续上扬。

该公司表示，当前订单需求远超产能供给，无法充分满足所有客户采购需求，价格上涨趋势已不可逆转。

数据显示，目前主流DRAM及NAND产品库存周期仅约四周，处于历史最低水平；所有客户均面临供应紧张局面，尚未有任一客户可获得足量稳定供货。与此同时，2026年高带宽存储器HBM的全部产能已被提前预订完毕；标准型DRAM供应持续趋紧，进一步强化了上游供应商的议价能力，产业链上下游正加速推进长期供应协议的磋商与签署。

SK海力士分析认为，供需矛盾加剧主要源于两方面：其一，人工智能大模型训练与高性能计算对存储带宽和容量提出前所未有的增长要求，实际需求远超此前行业预估；其二，存储芯片制造高度依赖洁净度极高的无尘车间，而新建产线建设周期长、认证流程严、投产爬坡缓慢，导致整体产能扩张难以匹配需求增速，缺口短期内难以弥合。

市场景气度已清晰反映于企业经营成果之中。该公司于1月28日公布的2025财年财报显示，全年营业收入达97.1467万亿韩元，营业利润为47.2063万亿韩元，营业利润率高达49%；净利润为42.9479万亿韩元，净利润率为44%。相较上一财年，营收增加逾30万亿韩元，营业利润实现翻倍，各项指标均创历史最高纪录。

存储芯片涨价正向下游广泛传导。有半导体控制芯片厂商负责人指出，内存产能正加速向AI基础设施相关应用集中，消费类电子代工环节承压明显，部分代工厂已要求客户以现金方式预付三年产能费用，中小终端设备制造商面临较大资金与供应压力。专业市场研究机构预测，受成本持续攀升影响，2026年全球智能手机产量或下降10%，至11.35亿台；若涨价态势延续，降幅可能扩大至15%以上，最低或达10.61亿台。

价格变动幅度显著：以主流智能手机配置的8GB运行内存加256GB存储组合为例，其合约采购价较2025年同期上涨近200%；存储器在整机成本结构中的占比亦由原先的10%至15%跃升至30%至40%，终端厂商成本压力持续加大。