全球存储器供应持续紧张，三星SK海力士大幅提前产能投产

2026年2月19日，全球存储器供应紧张局面持续加剧，韩国两家主要半导体企业正加快推进产能建设进度。

SK海力士决定将位于龙仁的首期晶圆厂投产计划大幅提前，原定于2027年5月完工的项目，现拟于2026年年初即2月至3月间启动试运行；三星电子亦调整平泽P4工厂建设计划，将原本安排在2026年第一季度的投产时间，提前至2025年第四季度。

据KB证券统计，截至2026年2月，三星与SK海力士面向主要客户的存储器芯片交付率约为60%，较2025年第四季度进一步下滑，显示供需失衡状况仍在加深。

业内普遍判断，当前供应紧张趋势或将延续至2027年。花旗集团分析指出，2026年全球DRAM与NAND闪存产能增幅分别为17.5%和16.5%，而同期需求增长预计分别达20.1%和21.4%，供需缺口持续扩大。

在高带宽存储器领域，价格水平同步上扬。市场消息称，三星最新一代HBM4产品报价约700美元，SK海力士预计也将采用相近定价。该价格较当前主流HBM3E产品高出20%至30%，亦较2025年8月SK海力士向主要客户供应的HBM4版本（约550美元）上涨近30%。

受益于存储器产品出货量及单价双重提升，两家公司2026年第一季度营业利润预期有望达到30万亿韩元。

此外，美国主要存储器制造商美光科技亦加快产能扩张节奏，近期宣布将在新加坡投资240亿美元扩建晶圆制造设施，以增强全球供应能力，应对持续紧张的市场环境。