2026年2月24日,ASML首席技术专家迈克尔·珀维斯在近期访谈中透露,研发团队已成功突破极紫外光刻光源功率瓶颈,实现从当前600瓦到1000瓦的实质性提升。该成果并非局限于实验室环境下的短期验证,而是一套具备工业级可靠性、可长期稳定运行于客户产线的完整解决方案。
光源功率迈入千瓦级后,光刻机整机产能将同步跃升。根据ASML内部测算,至2030年,单台设备每小时晶圆处理量有望从220片提升至330片,增幅达50%。尤为关键的是,在产能显著提高的同时,单片晶圆的制造成本基本维持原有水平。这表明芯片制造商无需扩建洁净厂房,也无需新增设备投资,仅通过对现有机台进行光源系统升级,即可获得可观的产出增长。
关于该技术的商用节奏,目前尚未公布明确部署时间表。业内普遍预期,ASML可能以模块化升级套件形式向客户交付此项能力,但并非所有在役EUV机型均支持此项升级,具体适配范围有待后续说明。
值得注意的是,1000瓦并非技术演进的终点。珀维斯表示,研发团队正持续推进更高功率目标,包括1500瓦乃至2000瓦的光源系统探索。随着光源性能持续增强,EUV光刻机的整体产能上限将进一步拓展,为应对未来日益复杂、规模不断扩大的先进芯片制造需求提供坚实支撑。

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