韩企加速扩产应对存储器短缺，HBM4涨价三成，美光加码新加坡投资

面对全球存储器持续紧张的供应形势，韩国两大半导体企业正加快产能建设节奏。SK海力士决定将位于龙仁的第一期晶圆厂投产时间大幅提前，由原定的2027年5月调整为2027年2月至3月间启动试运行；三星电子亦宣布，将其平泽P4工厂的投产计划从2027年第一季度提前至2026年第四季度。

最新统计数据显示，截至2026年2月，三星与SK海力士面向主要客户的存储器芯片交付率约为百分之六十，较2025年第四季度进一步下滑，反映出供需矛盾持续加深。业内普遍预计，当前供应短缺局面将持续至2027年。据专业机构测算，2026年DRAM与NAND闪存的全球供给增速分别为百分之十七点五和百分之十六点五，而需求增速则分别达百分之二十点一和百分之二十一点四，供需失衡状况仍在扩大。

在高带宽存储器领域，价格调整趋势明显。市场消息称，三星即将推出的HBM4产品报价约为七百美元，SK海力士预计也将采用相近定价。该价格较当前主流的HBM3E提升约百分之二十至三十，较2025年8月SK海力士向英伟达供应的HBM4批次（报价约五百五十美元）上涨近百分之三十。

在量价双重推动下，两家韩国企业2026年第一季度营业利润有望攀升至三万亿韩元。

与此同时，美国存储器制造商美光科技亦加速扩充产能，近期正式宣布将在新加坡投资二百四十亿美元，用于扩建晶圆制造设施，以增强全球供应能力，应对持续加剧的市场需求压力。