SK海力士推AIP技术突破3D NAND堆叠极限，单次蚀刻超300层

在2026年韩国半导体展SEMICON Korea上，SK海力士副总裁对外披露了公司正在推进的AIP（All-in-Plug）技术研发进展。

该技术可实现单次蚀刻超过300层的3D NAND堆叠结构，突破当前主流工艺仅支持100至200层的限制。

此项技术将率先导入V11 NAND产品，预计将大幅提升制造效率，并有效降低单位产能成本。