DRAM等存储芯片价格创历史新高，厂商盈利达峰值但周期风险隐现

据最新市场研究数据显示，截至2026年第一季度末，DRAM、高带宽内存（HBM）及NAND闪存的价格均已攀升至历史最高水平。以64GB RDIMM为例，其单价已由年初的450美元大幅上涨至900美元，并预计在第二季度突破1000美元关口。

为应对存储芯片成本持续攀升的压力，智能手机制造商正调整产品策略：部分机型下调DRAM配置容量；在固态存储方案中，更多采用单位容量成本更具优势的QLC技术替代传统TLC；同时，单款机型的内存规格组合亦趋于精简。在此背景下，LPDDR4内存的采购需求显著减弱，而符合最新标准的LPDDR5内存订单则保持稳步上升态势。

行业分析认为，当前存储器厂商的整体盈利水平已达到历史峰值，其中DRAM业务的营业利润率超过百分之六十。这一高盈利状态或将在未来一段时间内延续，但若进入下一轮周期性调整阶段，企业或将面临更为剧烈的市场波动与经营压力。