Rapidus加速2纳米产业化：2028年量产，2029年进军1.4纳米

2026年2月13日，Rapidus正全力推进2纳米制程的产业化进程，计划于2028年实现该工艺的全面量产。

公司已于2025年4月启动2纳米试产线建设，同年8月成功完成基于环绕栅极结构的2纳米测试芯片流片。按照当前进度，2026年第一季度将向合作客户交付2纳米工艺设计套件（PDK）。

在产能布局方面，Rapidus预计2027年初月产能可达6000片晶圆，并计划在一年内迅速提升至约2.5万片，增幅超过四倍。

技术指标上，Rapidus自主研发的“2HP”2纳米工艺已达到逻辑密度237.31百万晶体管每平方毫米，与国际主流2纳米节点水平相当，略高于台积电N2工艺的236.17百万晶体管每平方毫米，显著优于18A级别工艺的184.21百万晶体管每平方毫米，整体处于高密度单元库技术前沿。

面向更长远的技术演进，Rapidus已启动1.4纳米制程的前期研发工作，目标在2029年实现量产。

该公司由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠、软银等八家日本企业于2022年联合创立，聚焦先进半导体工艺的自主设计与本土制造能力构建。

目前，Rapidus正在北海道千岁市建设创新集成制造工厂，该基地将作为2纳米芯片的核心生产基地。