SK海力士发布1纳米LPDDR6内存，速率达14.4Gbps领跑行业

2026年2月12日，SK海力士正式公布其新一代LPDDR6内存模块的详细技术参数。该产品采用1纳米级DRAM制造工艺，单颗容量为16吉比特，数据传输速率达14.4吉比特每秒，已达到当前JEDEC标准所定义的LPDDR6最高速度上限，是目前公开资料中性能领先的LPDDR6内存解决方案。

该内存专为终端侧人工智能应用场景深度定制，在数据吞吐能力与单位能耗比方面均较上一代产品实现明显进步，兼顾高性能与低功耗需求。

与此同时，三星亦在加快LPDDR6技术落地节奏。此前已推出基于12纳米工艺、传输速率为10.7吉比特每秒的初代LPDDR6产品；现阶段正推进第二代版本开发，目标速率提升至12.8吉比特每秒，单颗容量同样为16吉比特。受限于相对成熟的制程节点，其芯片面积略大于SK海力士同规格产品。三星正持续开展工艺与架构优化，计划将最终速率提升至14吉比特每秒，届时将与SK海力士当前产品性能基本相当。