三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10 NAND产品

近日有消息传出，三星与长江存储就3D NAND混合键合技术达成了专利许可协议。根据协议内容，从第十代V-NAND（V10）开始，三星将采用长江存储的专利技术，尤其是在“混合键合”技术领域展开合作。

据悉，三星计划于2025年下半年开始量产下一代V10 NAND产品，其堆叠层数预计将达到420至430层。然而，随着堆叠层数突破400层，底层外围电路将承受更大的压力，进而影响芯片的可靠性和性能表现。为解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入晶圆到晶圆（W2W）混合键合技术。该技术通过直接贴合两片晶圆，无需传统凸点连接，从而有效缩短电气路径，提升性能和散热能力，同时优化生产效率。

值得注意的是，早在四年前，长江存储就已经率先将混合键合技术应用于3D NAND制造，并为其命名“晶栈（Xtacking）”，同时围绕该技术构建了全面的专利布局。目前，掌握3D NAND混合键合关键技术专利的主要企业包括美国某公司、长江存储以及中国台湾的一家芯片制造商。在此背景下，三星几乎无法绕开长江存储的专利壁垒。因此，三星最终选择通过专利授权的方式与长江存储达成合作，以规避潜在的法律和市场风险，同时加快技术研发进程。

此外，业内人士透露，另一家国际存储巨头也在开发适用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来可能同样需要与长江存储签署专利授权协议。业内人士还指出，在三星后续的V10、V11、V12等NAND产品开发过程中，仍有可能继续依赖长江存储的专利技术支持。

这一合作标志着长江存储在全球3D NAND技术领域的重要地位进一步提升，同时也凸显了混合键合技术在未来高层数NAND产品中的关键作用。