铠侠2027年量产332层BiCS10 NAND，密度提升59%

铠侠已确认将于2027年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产工作，该产品采用332层堆叠结构。其输入输出接口速率可达4.8Gbps，单位面积存储密度较当前主流的BiCS8技术提升59%。这一升级旨在响应市场对高容量、高性能存储产品的持续增长需求。