英伟达签长约锁定SK海力士与美光HBM及DRAM产能至2027年底

分析机构Edgewater Research指出，英伟达已与SK海力士及美光达成多年期供应协议，提前锁定大量动态随机存取存储器及高带宽存储器产能。根据现有安排，相关合约有效期至少延续至2027年底。

这一举措将对存储市场供需格局产生持续影响。短期内，DRAM与HBM价格不仅难以回落，还存在进一步上行压力，普通用户在购买显卡、内存条及整机时将持续面临供应紧张与价格上涨的双重挑战。

英伟达此举的核心目的在于保障AI基础设施建设所需的稳定存储供给。随着大型模型训练与推理任务规模持续扩大，数据中心对高带宽、低延迟存储资源的需求仍在快速增长。通过长周期合约，企业可有效锁定成本与交付节奏，提升整体部署与产品规划的可控性。

据Edgewater Research观察，当前主流存储厂商已普遍调整合作模式，由过去以一年为单位的短期协议转向三至五年期的长期约定。产能分配亦明显向AI相关应用倾斜，用于消费级显卡及个人电脑的内存资源因而受到更显著的挤压。

SK海力士方面已于2026年6月正式确认协议生效，美光则尚未就此事作出公开说明。至于合同所涉具体采购规模，以及HBM与DRAM之间的配比结构，目前尚无明确披露。

从产能建设节奏来看，新增存储产线投产周期较长，最早一批规划中的晶圆厂预计要到2027年甚至2028年才能实现量产并贡献有效供给。与此同时，部分厂商对新建产线持审慎态度，担忧未来市场环境变化可能导致投产即遇价格下行，投资回收周期拉长，从而延缓整体扩产步伐。

上游存储芯片价格持续走高，已逐步传导至下游多个环节，包括独立显卡、主板、固态硬盘乃至整机系统。而随着英伟达以长期合约形式将相当比例的先进存储产能纳入AI生态体系，面向消费市场的可用资源将进一步收窄。