三星HBM4芯片全球首发量产，2月下旬供货英伟达Vera Rubin平台

三星电子计划于本月下旬启动高带宽存储芯片HBM4的量产交付，首批产品将面向英伟达供货。此举标志着全球范围内HBM4芯片首次实现规模化生产与出货。

根据行业内部信息，三星电子已确定在农历新年假期结束后——即2月17日农历正月初一之后——正式向英伟达供应HBM4芯片。此前，该产品已完成英伟达全部技术认证流程，并严格匹配其新一代人工智能加速器平台Vera Rubin的发布节奏与量产需求。

英伟达拟于3月16日至19日召开的年度技术大会上，首次公开展示搭载三星HBM4芯片的Vera Rubin人工智能计算平台。该公司首席执行官在上月举行的国际消费电子展上确认，Vera Rubin平台已全面进入量产阶段，预计将于2026年下半年正式投入市场应用。

在技术性能方面，三星HBM4显著突破行业既有标准。其设计指标已超越联合电子设备工程委员会（JEDEC）发布的HBM4规范要求，成为英伟达下一代AI平台的首选存储方案。

制造工艺上，三星采用第六代10纳米级DRAM技术——即1c制程——打造存储单元芯片；基板芯片则依托4纳米先进逻辑制程完成。该组合使单颗HBM4芯片的数据传输速率提升至11.7千兆比特每秒，较JEDEC标准高出约37%，较前代HBM3E提升22%；单堆栈带宽达3TB/s，为上一代产品的2.4倍；当前12层堆叠方案可提供36GB容量，后续升级至16层堆叠后容量可达48GB。

随着HBM4进入量产阶段，三星与主要竞争对手在英伟达供应链中的竞逐态势进一步凸显。对方采用第五代b DRAM工艺制造存储单元，基板芯片则交由台积电以12纳米逻辑工艺代工。

三星此次率先实现HBM4量产交付，不仅依托其全球最大的HBM产能规模与最完整的产品布局，更以当前业界最高性能指标确立了技术领先优势。业内普遍认为，这一进展使其在高端存储芯片市场的主导地位进一步巩固。与此同时，部分观点指出，竞争对手或将在供应稳定性与整体出货量方面形成差异化优势，而三星则持续以性能突破作为核心竞争策略，力求在高端AI基础设施建设的关键窗口期赢得先机。