三星量产交付全球首批HBM4芯片，助力英伟达Vera Rubin平台2026年落地

三星电子将于本月下旬，即农历新年假期结束后，开始向英伟达批量供应HBM4高带宽存储芯片。此举标志着全球范围内HBM4芯片首次实现大规模量产与交付。

据行业确认，三星已完成全部HBM4芯片的认证流程，交付节奏与英伟达新一代人工智能加速器的研发及发布周期高度协同，其中重点支持的平台为Vera Rubin。

英伟达计划在2026年3月16日至19日举办的GTC大会上，首次公开演示搭载三星HBM4芯片的Vera Rubin人工智能计算平台。该公司首席执行官黄仁勋此前在CES 2026展会期间已表示，Vera Rubin平台已全面进入量产阶段，市场普遍预期该平台将于2026年下半年正式推出。三星HBM4芯片的如期交付，为这一关键节点提供了坚实保障。

本次量产的HBM4芯片在性能层面显著超越现行行业水平。其DRAM单元采用1c工艺，即第六代10纳米级DRAM技术；基板部分则使用4纳米制程工艺。两种先进工艺协同应用，推动整体性能实现跨越式进步。

实测数据显示，该芯片数据传输速率达11.7Gbps，较JEDEC标准规定的8Gbps提升约37%，亦比上一代HBM3E的9.6Gbps高出22%；单堆栈带宽达3TB/s，为前代产品的2.4倍。在12层堆叠结构下，单颗芯片容量可达36GB；后续升级至16层堆叠后，容量可扩展至48GB。

HBM即高带宽存储，是专为人工智能加速器与高性能计算系统定制的高端存储解决方案，核心价值在于突破算力提升过程中长期受限的内存带宽瓶颈，已成为大模型训练、智能驾驶等前沿技术发展的关键硬件支撑。

随着全球人工智能算力需求持续攀升，HBM市场亦呈现快速增长态势。此次HBM4芯片的大规模量产，不仅将加速存储技术代际演进，也将为下一代人工智能计算平台的性能跃升提供重要基础支撑。