长江存储三期2026年投产，将半数产能转产DRAM并研发HBM

2026年2月4日，武汉集成电路产业迎来第三座千亿级项目——长江存储三期工程，预计将于今年建成并投入运营。目前，项目正处在关键建设阶段，巨型洁净厂房的设备安装工作已全面展开。据项目负责人透露，三期工程按计划推进，建成后将有力带动上下游约两百家企业在本地集聚发展。

长江存储三期布局于2025年9月正式启动，同步完成长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的注册设立。该公司注册资本为二百零七点二亿元，是继2021年长存二期公司成立后，长江存储在半导体领域实施的又一重大战略部署。

在产能规划方面，新厂区将延续NAND闪存的生产，同时明确将半数产能转向DRAM制造。此外，长江存储还将联合国内存储封装企业，面向人工智能计算需求，协同研发并量产高带宽内存（HBM）产品。

2025年，长江存储在全球存储芯片产能中占比约为百分之七至百分之八。若三期项目如期达产，其全球市场份额有望在2026年突破百分之十。