三星2纳米工艺良率达标，高通将重启其代工骁龙8旗舰芯片

2026年1月27日，行业分析显示，2026年将是三星晶圆代工业务的重要转折之年。最新数据显示，其2纳米环绕栅极工艺的良率已进入稳定阶段，伴随客户订单持续增长，该业务预计将于2027年实现盈利。

与此同时，台积电现有产能趋于饱和，部分长期合作客户正积极寻求多元化代工选择，其中高通已明确将三星纳入下一代旗舰芯片的供应体系。

三星位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂已完成大规模投资，总额超过370亿美元。该工厂计划于2026年3月启动极紫外光刻设备的测试运行，并同步推进产线升级，由现行的4纳米制程全面转向2纳米环绕栅极工艺。

此次升级引发业内高度关注。继AMD之后，高通将成为三星在该先进制程节点上的重要合作伙伴。为优化供应链成本结构，高通已决定将后续骁龙8系列旗舰移动平台交由三星代工，采用其2纳米环绕栅极工艺。

据可靠消息，即将发布的骁龙8 Elite Gen6标准版芯片将采用三星2纳米环绕栅极工艺，而Pro版本则沿用台积电N2P工艺；至2027年发布的骁龙8 Elite Gen7系列，有望全面切换至三星代工。

历史数据显示，骁龙888与骁龙8 Gen1均由三星代工，但因终端功耗与温控表现未达预期，自骁龙8+ Gen1起，高通转由台积电承接主力旗舰芯片的制造任务。如今，在成本控制与先进制程能力双重驱动下，高通回归三星代工体系的趋势已日益明朗。