全球存储器供需失衡加剧，2026年Q1 DRAM与NAND价格创历史新高

当前面临存储器采购困难的装机用户，短期内恐怕仍需耐心等待。根据最新发布的存储器产业研究报告，受人工智能及数据中心应用需求持续强劲拉动，全球存储器市场供需矛盾进一步加剧。2026年第一季度，DRAM与NAND Flash全系列产品价格均出现显著上扬，多个细分品类的季度涨幅刷新历史纪录，且后续仍有进一步上调的可能。

本轮价格上涨的主要动因源于需求端的迅猛扩张。随着AI推理在各类场景中加速落地，北美及中国主要云服务提供商与服务器制造商对高性能存储器的采购意愿强烈，备货节奏明显加快。与此同时，2025年第四季度个人电脑整机出货量超出预期，进一步加剧了PC用DRAM的供应紧张局面，一线PC品牌厂商库存水位持续走低。

在供给端，存储芯片制造商普遍更看好DRAM领域的盈利空间，因而将部分产线资源向DRAM倾斜，导致NAND Flash新增产能受到制约。目前仅能依靠制程工艺优化来小幅提升单位晶圆产出，短期内产能瓶颈难以有效缓解，厂商议价能力随之增强，市场整体呈现典型的卖方主导格局。

从具体涨幅来看，DRAM类产品领涨全局。常规DRAM合约均价的季度涨幅已由年初预估的百分之五十五至六十，大幅上调至百分之九十至九十五；PC用DRAM（含DDR4与DDR5）合约价预计上涨百分之一百零五至一百一十，涨幅逾一倍，创有记录以来最高水平；服务器用DRAM季度涨幅为百分之八十八至九十三；移动终端用DRAM中，LPDDR4X与LPDDR5X合约价同样实现百分之八十八至九十三的季度增长，同为历年峰值；高带宽存储器HBM混合合约价亦上涨百分之八十至八十五。

NAND Flash方面，整体合约均价季度涨幅也由原先预估的百分之三十三至三十八，上调至百分之五十五至六十。

值得注意的是，不同手机厂商在存储器采购谈判进度上存在差异。美系品牌客户已于2025年底完成2026年第一季度Mobile DRAM的合约定价；而中系品牌客户受限于2025年第四季度合约刚刚敲定，叠加农历春节假期影响，相关议价工作预计最早要到2月底才能取得实质性进展。

此次存储器价格的集中大幅上行，将直接推高终端电子产品的制造成本，并对上下游供应链的库存规划与采购策略带来深远影响。