2026年1月26日,高盛亚洲团队最新渠道调研显示,当前DRAM市场价格结构出现显著倒挂现象:DDR4内存现货价格较2025年12月合约价上涨172%,DDR5现货价格较同期合约价亦高出76%。现货价格作为短期供需关系的敏感指标,其与合约价之间如此巨大的偏离,反映出当前合约定价已明显滞后于实际市场供需状况。
从供给端看,受晶圆厂产能爬坡周期制约,2026年DRAM整体新增供应增长有限,其中DDR4产线更呈现持续减产趋势;需求端则因AI服务器机架式部署进程加快,对存储芯片的需求迅速扩张。供需错配加剧,促使下游客户普遍接受2026年第一季度更为激进的价格调整方案。
高盛在最新报告中指出,2026年1月DRAM市场情绪整体趋于乐观。核心支撑因素在于DDR4与DDR5现货价格均呈现强劲上行态势,为合约价格后续大幅调升奠定了坚实基础。
在行业景气度持续提升的带动下,主要厂商营收表现突出。中国台湾地区DRAM供应商南亚科技尤为显著,2025年12月单月营收同比增幅达445%,已连续五个月实现三位数同比增长。值得注意的是,其增长动能正加速释放:自2025年8月至12月,月度营收同比增速依次为141%、158%、262%、365%和445%,呈清晰的阶梯式上升轨迹。
与此同时,韩国DRAM出口数据亦印证行业高景气特征。该国2025年12月DRAM出口额同比大幅增长72%,主要驱动力即来自产品单价的显著提升。

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