三星SK减产NAND闪存应对AI需求冲击

2026年1月20日，据韩国媒体报道，三星电子与SK海力士计划在今年削减NAND闪存的生产规模，两家公司合计占据全球市场六成以上的份额。在以英伟达为代表的AI技术竞争不断加剧的背景下，这一减产举措可能进一步收紧NAND闪存的供需关系，推动其在服务器、个人电脑及智能手机等多个应用领域持续面临价格上涨压力。业内分析认为，此举有望为两家企业带来类似于DRAM业务的利润率提升机会。

数据显示，三星电子今年的NAND晶圆产量预计从2023年的490万片下降至468万片，SK海力士则计划将产量由190万片调降至170万片。花旗证券指出，AI需求的迅猛增长是驱动存储市场变化的关键因素。例如，用于英伟达超级芯片架构系统Vera Rubin的SSD存储容量高达1152TB，相当于现有主流产品的十倍以上。预计到2026年，该类系统将额外产生3460万TB的NAND需求。

此次减产的背后有多重原因。一方面，企业正将更多生产资源倾斜至利润水平更高的DRAM业务；另一方面，为满足AI数据中心对高容量固态硬盘的需求，行业正处于由TLC向QLC技术过渡的阶段，而技术转换过程中不可避免地带来一定的产能损耗。此外，面对来自中国存储厂商如长江存储在通用型NAND领域供应量的上升，三星与SK海力士也正通过调整产品结构和产能配置，以维持整体盈利水平。

市场研究机构预测，2026年第一季度，NAND闪存的合约价格将环比大幅上涨33%至38%，并指出三星电子与SK海力士在NAND生产方面正展现出趋于保守的整体态势。