DRAM与NAND价格暴涨三倍，AI需求推高存储芯片市场

存储芯片市场正面临一场前所未有的价格波动，其中DRAM与NAND闪存的大幅上涨已对整个电子产业造成深远影响。尤其是DRAM内存，其涨价势头尤为迅猛，主流DDR5内存条的价格较此前低点已上涨至少两到三倍。

从当前趋势判断，2026年全年价格仍将维持上行态势。近期，主要供应商纷纷上调新一轮合约价格，涨幅普遍达到50%至60%，个别厂商甚至提出超过70%的调涨幅度。这一轮提价是在2025年第三季度和第四季度连续涨价的基础上进一步加码，市场压力持续累积。

本轮涨价的核心驱动力来自人工智能领域的爆发式增长。AI基础设施建设正以每年上万亿美元的规模投入，对高性能存储资源的需求急剧攀升。特别是现代AI系统越来越依赖强大的数据记忆和处理能力，使得高带宽内存如HBM以及常规DDR、LPDDR产品成为关键瓶颈。

全球存储芯片的供应高度集中，约95%的产能由三家头部企业掌控：三星、SK海力士和美光。这三家企业直接主导着市场的供给节奏与价格走向。

据行业分析数据显示，三星在2026年的晶圆产能预计将达到约793万片，相较2025年的759万片增长5%。新增产能主要来源于其平泽工厂的产线优化与效率提升。SK海力士方面，全年产能预计将达648万片晶圆，相比前一年的597万片增长约8%，增幅高于三星。但值得注意的是，SK海力士作为全球最大的HBM供应商，其新增产能中很大一部分将优先用于满足AI专用内存的订单需求，因此在标准DDR和低功耗LPDDR领域的实际市场投放量可能远低于产能增幅。

美光则基本维持现有生产规模，2026年晶圆产能预计仍停留在360万片左右，未见明显扩张计划。

综合来看，三大厂商均未表现出大规模扩产的意愿，即便市场需求持续高涨，也选择保持谨慎态度。这种策略背后的逻辑在于通过控制供给来维持较高的利润率，而非追求产量最大化。此前已有市场传言指出，厂商倾向于在缺货环境中运营，以实现利益最优。

目前，整个内存市场处于严重供不应求状态。整体需求满足率仅为60%左右，而在服务器领域，内存供应缺口更为突出，满足率不足50%。这意味着市场上至少有四成以上的需求无法得到满足，部分场景下缺货比例甚至超过一半，供需矛盾极为尖锐。

对于AI相关应用而言，供应情况相对可控。谷歌、微软、META等科技巨头资本雄厚，面对高昂的硬件成本仍坚持推进AI基础设施建设。即使美国方面要求企业自行解决AI数据中心的电力配套问题，也未能动摇其投资算力的决心，因此高端内存资源往往优先向这类客户倾斜。

相比之下，通用消费市场的处境则艰难得多。个人电脑和智能手机所依赖的DDR与LPDDR内存不仅价格持续攀升，2026年的可用供应量还可能进一步缩减。由于HBM等AI专用内存正在占用更多生产线资源，有限的产能增长实际上难以惠及大众市场。可以预见，在未来一段时间内，普通厂商和终端消费者仍将承受高昂的存储成本压力。