SK海力士发布5-Bit NAND闪存，读速提升20倍

1月16日，据市场研究机构最新消息，在人工智能技术快速发展的背景下，全球主要存储制造商对NAND闪存的产能扩展持审慎态度，并正逐步停用MLC等上一代产品。其中，SK海力士已于去年12月发布其5-Bit NAND闪存技术，该技术在读取速度方面相较传统PLC闪存提升达20倍。

该技术基于Multi-Site Cell（MSC）NAND架构，通过将每个3D NAND存储单元划分为两个独立部分，在提高数据存储密度的同时，使工作电压降低约三分之二。结合当日发布的其他信息，SK海力士在5-Bit NAND中还引入了4D 2.0技术，成功突破了传统存储结构在超过每单元4比特（即QLC）后所面临的电压状态限制，从而在不牺牲性能与耐久性的前提下，实现单单元5比特的数据存储能力。

目前，尽管QLC 3D NAND已进入量产阶段，但仍存在读取稳定性不足和使用寿命较短等问题。为此，SK海力士采用单元分割策略，将一个NAND单元拆分为两个独立Site，每个Site以更低电压运行，从而兼顾高密度与可靠性。此外，该技术可使单颗NAND芯片及固态硬盘的整体存储容量提升25%，为未来高性能存储设备的发展提供新的解决方案。