台积电赴美投资扩至2000亿，先进制程受限N-2规则

台积电近年来在美国投资建厂的计划持续升级，原本并无赴美设厂打算的企业，因外部压力逐步调整策略。最新承诺的投资金额已达1650亿美元，而美方近期释放的信号显示，期望这一数字进一步提升至2000亿美元以上。

除资金投入外，台积电还需将先进制程技术转移至美国生产基地。其位于美国的一期工厂原定生产5纳米芯片，但在去年底投产时已升级为4纳米工艺。目前正推进的二期工程预计导入3纳米制程技术，后续规划中更涵盖2纳米至1.4纳米节点的产能布局，相关先进工艺将按阶段逐步落地美国。

随着先进技术外移，外界普遍关注核心技术泄露的风险。对此，台积电多次回应称，最先进的量产工艺仍将保留在总部所在地，不会外放。近日更有相关部门透露监管方向，明确关键技术将受到严格管控，涉及人员亦被纳入管理范围。

为进一步规范技术输出，未来台积电向海外转移技术需遵循N-2原则，即海外工厂所采用的制程工艺必须比本土量产最先进节点落后两代。例如，当前台积电最先进量产工艺为2纳米（N2），则海外基地最高仅能生产5纳米（N5）级别芯片，中间间隔3纳米一代。

展望未来，当台积电实现1.4纳米（A14）工艺量产时，美国工厂方可启动2纳米生产，其间仍相差1.6纳米（A16）一代。此项机制旨在确保核心技术优势维持在本土，同时控制先进技术扩散的节奏与范围。