英特尔完成第二代High NA EUV光刻机验收并展示2DFET前沿技术

12月16日，英特尔代工部门宣布，已与ASML成功完成首台第二代High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试。该设备在荷兰当地时间昨日通过验证，标志着先进制程设备开发迈出关键一步。

相比主要用于工艺研发的第一代EXE:5000机型，EXE:5200B更聚焦于量产应用。设备搭载了更高功率与剂量的EUV光源，晶圆处理能力提升至每小时175片；套刻精度进一步优化至0.7纳米；同时，借助新设计的晶圆存储结构，整体工艺稳定性也得到增强。

此外，英特尔代工在同一技术报告中透露，其与比利时微电子研究中心合作，在近期举行的2025年度IEEE国际电子器件会议上展示了多项前沿成果，包括针对2DFET材料中氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀技术，以及在12英寸试验生产线上实现的大马士革型顶接触晶体管制造。