2026年存储业资本支出谨慎增长 产能扩张受限技术转型加速

11月14日，根据一项产业调查结果显示，2026年存储行业的整体资本支出仍将维持审慎态度，这表明明年DRAM与NAND在比特容量上的增长将受到一定限制，市场供应紧张的局面难以出现根本性扭转。

在DRAM领域，尽管三星电子与SK海力士仍存在小幅扩产的可能性，但美光的产能扩张需等待其位于美国爱达荷州博伊西的ID1新晶圆厂建成投产后方可推进。而在NAND方面，铠侠与闪迪、美光计划加大投资力度，但三星电子与SK集团则选择保持现有投资节奏，暂无大规模扩产计划。

预计2026年，DRAM产业的资本支出将同比增长约14%，达到613亿美元；NAND产业的资本支出有望实现5%的增长，总额约为222亿美元。

总体来看，主要存储厂商的战略重心正逐步由单纯扩大产能转向更深层次的技术突破，包括制程优化、高层数堆叠以及混合键合技术的研发，并更加专注于HBM等具备更高附加值的产品布局。