SK海力士加速推进3D堆叠DRAM-on-Logic技术，布局终端侧AI内存产业化

SK海力士正加速推进面向终端侧人工智能应用的新型内存技术——3D堆叠DRAM，并已启动相关工程人才招聘，同步与美国客户开展芯片联合设计工作。

该技术采用将DRAM直接集成于逻辑芯片之上的三维堆叠架构，突破传统PoP封装的物理限制，显著缩短存储单元与计算单元之间的互连距离，增加数据通路数量，从而在提升带宽、降低延迟的同时，优化整体功耗表现与芯片空间利用率。

根据最新发布的招聘需求，SK海力士正在美国圣何塞地区招募3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师，主要职责涵盖与本地客户深度协同，主导逻辑芯片部分的联合开发与定制化设计。此举表明，该技术已由实验室阶段迈入产业化前期准备阶段，进入实质性工程落地节奏。

推动这一布局的核心动因，在于终端侧AI应用场景持续扩展——生成式人工智能正快速渗透智能手机、可穿戴设备及服务机器人等消费级与专业级终端设备。这类设备对本地AI推理能力提出更高要求，亟需兼具高带宽、低功耗与小尺寸特性的内存解决方案，而现有主流封装形式正逐步逼近性能与集成度瓶颈。

业内分析指出，智能手机处理器因其高度集成化、强算力需求及成熟产业链基础，有望成为该技术首个规模化商用场景。当前主流芯片厂商亦持续投入先进制程与异构封装研发，以支撑终端侧AI能力持续升级。

值得注意的是，SK海力士已在高性能计算领域凭借HBM技术确立市场领先地位。此次将技术重心延伸至终端侧，推出3D堆叠DRAM-on-Logic方案，标志着其正系统性构建覆盖云端与终端的全栈AI存储产品体系，为下一代AI内存竞争提前布局。

今年四月，公司管理层曾公开表示，除定制化HBM外，正同步推进高带宽闪存HBF及3D堆叠DRAM-on-Logic等新一代存储方案，旨在针对不同AI负载类型提供差异化、适配性更强的硬件支持。

总体而言，HBM主要服务于数据中心级AI算力需求，而3D堆叠DRAM则聚焦于移动终端、边缘设备等终端侧AI场景。此次人才招募动作清晰传递出一个趋势：AI内存的技术演进与市场竞争，正从云端加速向终端延伸并深化。