三星发布400层BV-NAND及zHBM创新存储技术，赋能AI算力升级

2026年8月5日，三星电子在加利福尼亚州圣克拉拉举办的全球闪存峰会（FMS 2026）上，正式推出面向人工智能应用的新一代存储技术。

本次发布的V10 Bonding V-NAND（简称BV-NAND）原型芯片，采用创新的晶圆键合架构，堆叠层数突破400层。相比上一代V9 NAND，其存储密度提升约58%，并在读取速度、写入效率及输入输出性能方面实现全面优化，可更高效支撑人工智能系统对高容量、低功耗存储资源的持续增长需求。

当前，人工智能工作负载正由大规模模型训练加速向实时推理与用户端即时响应延伸，对高性能NAND闪存的依赖日益加深。BV-NAND不仅在单位面积存储容量上取得突破，还为数据中心及边缘计算等多样化部署场景提供了显著提升能效比的技术路径。

同期展出的还有业界首创的zHBM与zNAND-O概念模型。其中，zHBM摒弃传统将高带宽内存并列放置于AI芯片一侧的设计，转而采用垂直堆叠结构，将存储单元直接集成于AI加速器之上，大幅缩减数据传输距离，从而在提升带宽的同时有效降低功耗与发热。依托成熟的晶圆键合工艺，zHBM的存储密度可达现行HBM5标准的十倍以上，能效提升三倍，热阻下降逾50%。

尽管部分市场参与者关注中国智能手机市场短期需求放缓可能对内存产业中长期发展构成影响，但行业普遍共识是，人工智能相关存储需求仍保持强劲增长态势。据三星近期披露，已与多家客户签署长期供应协议，预计此类协议将贡献其内存业务销售额的60%至70%，印证了AI驱动下存储需求的稳定性与可持续性。