华为小米研发LLW新型内存，2027年下半年商用突破端侧AI性能瓶颈

随着端侧人工智能大模型在智能手机中的加速落地，内存带宽不足已成为制约性能释放的突出瓶颈。

据最新行业消息，华为、小米等国内主流手机厂商正积极推进一种新型内存技术的研发，命名为低延迟宽字节DRAM，简称LLW。该技术预计将于2027年下半年进入商用阶段。

传统高带宽内存HBM虽具备优异性能，但受限于智能手机内部狭小空间及散热能力薄弱，始终难以适配移动终端。LLW并非HBM的直接移植，而是借鉴其堆叠整合的设计理念，针对手机特有的物理约束与热管理条件进行深度定制，旨在突破当前LPDDR系列内存的性能上限。

初步数据显示，LLW在理论性能上较现有方案提升约1.5倍，同时功耗可降低一半。业内普遍推测，这一对比基准为当前广泛采用的LPDDR5X内存。若参数实现落地，将显著增强手机运行大型AI模型的能力，不仅响应更迅速，发热控制与续航表现也将同步优化。

行业观察指出，随着端侧AI模型参数规模持续扩大，仅靠提升NPU算力已难以为继，内存系统正逐渐成为影响整体AI体验的关键瓶颈。LLW等新一代内存技术的出现，有望推动移动AI迈入实质性升级阶段。

需要指出的是，该技术目前仍处于研发与验证阶段，量产良率、成本结构以及软硬件协同适配等核心环节尚无明确进展。最终技术规格与商用节奏，仍有待厂商与供应链后续正式披露。