英特尔双轨推ZAM与XBM存储架构，挑战高带宽内存主导地位

英特尔正以两种全新存储器架构对高带宽内存技术形成协同挑战。

今年初，英特尔与软银旗下子公司SAIMEMORY共同启动ZAM即Z角存储器技术研发。该项目于2026年第一季度投入运行，计划在2027年完成原型产品开发，并于2030年实现量产与商用。

ZAM采用斜向互连拓扑结构，不再依赖传统垂直硅通孔方案。该设计聚焦于热管理优化与能效提升，官方数据显示其功耗较当前高带宽内存降低四成至五成；单芯片最大容量可达512GB，约为现有高带宽内存的两到三倍；规模化生产成本预计为高带宽内存的六成。该架构采用九层堆叠结构，其中八层为动态随机存取存储单元，相邻两层之间仅以厚度为三微米的硅基板相隔。

与此同时，英特尔也在同步推进XBM即跨批次存储器架构的研发。XBM基于后端晶体管集成的动态随机存取存储堆叠方式，通过UCIe接口进行数据传输，最高传输速率达每秒32千兆比特。该架构旨在省去高带宽内存所必需的硅中介层，从而减少先进封装工艺复杂度与制造成本，在维持与高带宽内存第四代相近封装尺寸的前提下，增强系统级扩展能力。

ZAM与XBM的技术源头可追溯至美国能源部资助的先进存储器研发计划，英特尔全程深度参与其中。此外，英特尔亦正主导面向下一代动态随机存取存储器的晶圆级键合技术路线。

尽管技术指标具备潜力，ZAM仍面临生态适配与兼容性等现实障碍。当前高带宽内存已在产业生态、接口标准以及与图形处理器和人工智能加速器的协同设计方面建立起显著优势。从实验室原型走向稳定、可靠、经济的大规模量产，封装工艺成熟度、芯片良率控制及综合成本管控，仍是决定其能否真正落地的关键环节。英特尔此次双轨并进的布局，是否足以改变高带宽内存的主导格局，仍有待后续实践检验。