三星首发全球首颗HBM5芯片，搭载创新HPB高效散热架构

三星在台北国际电脑展上正式推出全球首颗HBM5内存芯片，并同步发布了全新的HPB高效散热架构。该架构专为应对高密度、高速HBM堆叠带来的热挑战而设计，旨在满足人工智能数据中心对超高带宽内存日益增长的性能与可靠性需求。

HPB架构在封装内部集成独立热传导柱，可将HBM堆叠内部产生的热量高效引导至封装顶部或侧面的散热模块。其技术优化重点聚焦于D2D PHY区域——即HBM基底芯片与GPU之间的高速互连层。随着堆叠层数增加与数据传输速率提升，该区域的温度与功耗密度显著上升，HPB通过结构重构与热路径优化，有效缓解了局部过热问题。

目前，HPB技术已在HBM4E产品中完成工程验证。首批12层HBM4E样品运行速率达14Gbps，后续可升级至16Gbps，单堆叠带宽达3.6TB/s。与此同时，HBM5基底芯片将全面采用三星自主研发的2纳米制程工艺，取代此前使用的4纳米工艺。公司高层指出，在当前AI系统架构中，热管理能力、数据处理效率以及封装长期运行的稳定性，已与内存带宽、延迟等传统性能指标同等重要。