三星2028年量产2nm HBM5，首发铜基HPB热管理技术

三星电子计划于2028年前后量产采用自研2纳米工艺制造的HBM5高带宽内存。该产品将集成一项关键热管理技术——热传导路径模块（HPB），作为其封装内部的核心散热结构。

HPB是一种嵌入式金属导热组件，主要采用铜基材料，其导热效率较传统基板、DAF胶膜或环氧模塑料等聚合物类材料高出五百至一千倍。该技术此前已在Exynos 2600移动处理器中完成实机验证，实测显示整颗芯片的散热能力较前代提升三成，展现出向高端移动计算平台拓展的可行性。

当前人工智能基础设施持续扩张，对存储器件的散热性能提出更高要求，促使业界加速推进新型热管理方案落地。近期，另一家主要内存厂商推出iHBM集成式散热架构，在HBM封装内嵌入微型冷却元件（ICE），显著抑制运行温升。该方案已明确规划用于HBM5等后续世代产品，并具备良好的系统级封装兼容性，客户可在不调整既有SiP设计的前提下直接导入。

分析指出，HBM5在大幅提升数据吞吐能力的同时，也加剧了芯片内部热负荷。尤其在HBM与GPU之间承担超高速数据互联任务的芯片间物理层（D2D PHY）区域，已成为主要热源之一。HPB与iHBM两项技术均针对该热点区域构建专属散热通道，通过优化热传导路径、降低整体热阻，有效提升系统长期运行的稳定性与可靠性。

随着多类先进散热方案同步进入产业化阶段，HBM市场供需关系预计仍将维持紧平衡态势。依据最新行业研究，三大主要供应商沿用年度议价机制，导致合约价格难以及时响应季度层面的价格波动。目前正值2026年第二季度，产业链上下游已启动2027年度主流HBM4产品的供应协商。综合DRAM整体产能偏紧、新旧世代HBM制造工艺复杂度高及成本压力显著等因素，预计三大厂商将在2027年对HBM系列产品实施较大幅度的价格上调。