三星华城12号产线终止2D NAND生产，全面转型为DRAM后处理专用车间

2026年2月26日，随着存储芯片技术持续演进，三星正加快完成从传统工艺向先进架构的全面转型。自2013年率先实现3D V-NAND闪存量产以来，三星已系统性地将原有2D NAND产线逐步转向三维堆叠结构。

历经十余年过渡，这一技术升级进程迎来关键节点：三星最后一座2D NAND专用产线即将正式终止运行。

该产线位于华城工厂12号厂房，当前月产能约为8万至10万片12英寸晶圆，预计最早于3月起停止2D NAND相关生产活动。

此次调整并非简单关停，而是产线功能的深度重构——原有设施将全面改造为DRAM后处理专用车间，承担金属布线、表面处理等前端工艺完成后的后续制程任务。升级完成后，该产线将有效分担华城工厂内其他DRAM产线的负荷，整体提升制造效率与资源协同水平。

事实上，此项调整早有布局依据。三星电子在上一年度第四季度财报中已明确指出，将加速退出传统2D NAND制造，全面转向更先进的存储技术路径。

目前，2D NAND的应用场景已大幅收窄，主要集中于U盘等对成本高度敏感的低端存储产品。而随着3D NAND性能优势凸显、成本持续下降，市场对其需求迅速增长，主流NAND制造商基本已完成技术路线切换。

华城12号产线完成改造后，三星全球产能布局将进一步明晰：华城工厂将全面聚焦DRAM内存的制造；平泽工厂则继续承担DRAM与NAND双重生产任务，但其P4产线正加速转向专精于1c DRAM的制造；与此同时，位于西安的生产基地仍将作为NAND闪存核心制造基地，并同步推进工艺升级。

此次产线优化不仅是产能结构的再平衡，更是面向下一代高带宽内存HBM4的重要战略准备。改造后所产出的1c DRAM，正是HBM4封装与性能实现的基础单元。根据既定规划，今年下半年，三星1c DRAM的月度晶圆总产能预计将达到约20万片。