印度2纳米芯片设计成功流片，半导体自主迈出关键一步

2026年2月13日，印度正加速推进工业化与技术自主进程，重点布局智能手机制造、新能源汽车及半导体产业，力图缩小与领先国家在关键科技领域的差距。

此前，印度提出建设全球半导体设计与制造中心的长期目标。近日，这一战略取得阶段性进展：由印度本土研发团队主导完成的2纳米工艺节点芯片设计已成功流片。

此次流片由高通技术公司宣布完成，标志着印度在先进制程芯片设计能力方面实现重要突破。据披露，项目整合了位于班加罗尔、钦奈和海得拉巴的多个研发中心资源，三地协同开展架构设计、逻辑实现、软件平台开发及终端场景优化等全流程工作。目前，这些基地已发展为高通在美国境外规模最庞大、技术能力最前沿的工程体系之一。

高通工程高级副总裁沙希雷迪指出，印度研发团队深度参与系统级设计的各个环节，从底层架构定义到上层应用适配，均体现出扎实的技术积累与工程落地能力。

印度相关主管部门表示，随着本土芯片设计生态持续完善，以及产业界长期稳定的投入，国家半导体发展计划正按既定路径稳步推进。强化高端工程研发力量，是夯实本土半导体制造基础、实现产业链长周期可持续发展的核心支撑。

尽管上述成果引发广泛关注，但业内普遍认为，印度在半导体领域的整体实力仍处于成长阶段。从设计能力跃升至制造、封测、设备与材料等全链条自主，尚需系统性投入与长期积累。