二月九日,业内消息显示,在人工智能领域关键的高带宽存储器(HBM)市场中,SK海力士凭借先发优势,成为英伟达主要供应商之一,带动整体业绩显著增长,员工亦获得丰厚绩效激励。去年多个季度,其动态随机存取存储器(DRAM)销售额持续位居全球首位,超越三星电子。
然而,领先局面正面临挑战。作为全球规模最大的存储芯片制造商,三星电子近期在HBM领域加速追赶,据多方信息确认,已于去年底实现HBM产量反超,跃居全球第一。
更进一步,三星电子已在产品迭代上取得突破,正推进第六代高带宽存储器(HBM4)的量产准备。最新消息表明,该公司将于本月启动HBM4的规模化生产,并计划最快于下周向客户交付首批产品,首期出货将面向英伟达。
据悉,该款HBM4已通过英伟达全部质量认证流程,正式纳入采购体系,量产节奏与英伟达新一代Vera Rubin平台的发布节点高度协同。
目前,第五代HBM3E仍是全球HBM市场的主流技术方案,但业界普遍预期,第六代HBM4将成为支撑下一代高性能计算与人工智能基础设施的关键载体,英伟达亦明确将在Vera Rubin平台中率先导入此项技术。

评论
更多评论