二零二六年二月十四日,美国方面近期更新了第1260H条款清单,将长江存储、长鑫存储等十二家中国企业从军工最终用户管制清单中移出。此举意味着消费类电子终端产品可依法采用这两家企业生产的DRAM与NAND闪存芯片,为国产存储器件进入全球主流消费市场扫除了一项关键障碍。
当前,全球存储芯片供应持续承压,结构性短缺形势严峻。人工智能基础设施建设加速推进,促使三星、SK海力士等国际头部厂商大幅调高高带宽存储器(HBM)的产能比重,相应压缩了标准型DRAM及NAND闪存的制造资源。业内普遍预期,这一供应紧张状态将延续至二零二七年。
受此影响,全球终端品牌厂商及供应链企业正积极寻求多元化供应方案,中国存储企业的产能与技术能力由此受到前所未有的关注。为把握市场窗口期,长江存储与长鑫存储已全面启动迄今规模最大的扩产行动,涵盖研发迭代、产线升级与制造基地扩建等多个维度。
需要指出的是,尽管此次清单调整释放了积极信号,两家企业仍处于美国多项半导体出口管制政策的适用范围内。后续在国际市场拓展过程中,合规管理与技术适配仍将构成重要挑战。

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