美光建厂引爆存储芯片战：美国拟对未本土化厂商征收高达100%关税

2026年1月18日，在美光位于纽约州的新厂奠基仪式上，美国商务部长霍华德·卢特尼克明确表示，全球存储芯片制造商必须做出选择：要么在美国本土建设生产基地，否则将面临最高达100%的惩罚性关税。这一表态标志着美方政策重心正从逻辑芯片转向存储芯片领域，尤其聚焦于DRAM产业链的本地化布局。

此前，多家国际半导体企业已响应美国推动本土制造的号召进行投资，如今政策压力进一步加码，目标直指尚未在美国部署DRAM产能的主要厂商。尽管三星电子与SK海力士均已在美国设立相关设施，但其现有规划尚不满足新政对本地化生产的核心要求。

三星虽已宣布在美开展半导体前道与后道工序投资，但截至目前，并无新建专用于DRAM制造的晶圆厂计划。而SK海力士近期公布的印第安纳州西拉法叶项目，投资金额为40亿美元，主要用于2.5D先进封装技术及研发平台建设，亦未涵盖DRAM晶圆生产线。这意味着两家韩国企业在当前框架下仍可能被纳入高关税覆盖范围。

目前，仅有美光科技明确推进在美国本土大规模生产DRAM芯片，成为唯一符合政策导向的主要供应商。一旦新规实施，三星与SK海力士将面临显著的市场与运营压力，其在美国市场的竞争力或将受到严重冲击。

这项政策的推出正值全球存储供需关系本就偏紧之际。受人工智能技术快速发展的推动，市场对高性能内存需求激增，DRAM价格已处于多年高位，产能扩张受限于技术门槛与资本投入周期。在此背景下，若再叠加高额进口关税，供应链整体成本势必进一步上升。

分析指出，强制性关税措施可能导致存储产品价格再度攀升，不仅加剧AI硬件的采购负担，还可能拖慢相关技术的大规模落地进程。产业链上下游企业以及终端消费者，最终都将承担由此带来的成本转嫁压力。在全球科技竞争日益激烈的当下，这一举措或将在重塑产业格局的同时，引发新一轮的成本与效率博弈。