台积电加速布局美国 3纳米厂提前至2027年投产

台积电已确定将位于亚利桑那州的第二座工厂3纳米先进制程量产时间由原定的2028年提前至2027年，较原计划提早一年。这一调整反映出其对全球半导体制造格局变化的迅速应对。

亚利桑那项目是该公司迄今为止规模最大的海外投资之一，总投资额预计达3000亿美元。目前，第一座工厂已顺利投产4纳米制程，进入稳定运营阶段；第二座工厂则将承接更先进的3纳米技术，推动量产进程进一步提速。

此次生产节奏的加快，主要受到美国主要客户需求激增的影响。苹果、英伟达与AMD等企业对高端芯片制程的需求持续攀升，尤其在4纳米、3纳米乃至后续2纳米节点上表现出强烈依赖，促使台积电加速本地化产能布局，以更好满足客户供应链安全与交付效率的要求。

与此同时，区域制造竞争日益加剧，也成为推动台积电调整策略的重要因素。英特尔正在亚利桑那州推进其Fab 52晶圆厂建设，并致力于18A工艺（约相当于1.8纳米级）的技术突破，意图在美国本土实现技术赶超。此外，三星已决定在其位于德克萨斯州泰勒市的新厂直接导入2纳米SF2制程技术，并成功获得包括特斯拉在内的多个关键客户订单，对现有市场格局构成直接挑战。

面对多方压力，台积电通过提前投产先进制程，强化其在美国市场的技术领先地位与客户黏性，同时巩固在全球高端半导体制造领域的竞争优势。