台积电2纳米工艺如期量产，GAA晶体管技术引领行业新突破

12月29日，根据台积电官方网站“逻辑制程”页面的最新信息，其2纳米（N2）技术已于2025年第四季度如期进入量产阶段。

此前在11月21日，该页面对2纳米技术的描述仍为“开发按计划推进，并取得良好进展”。而逻辑制程路线图最近一次更新时间为2025年12月16日，显示该技术已正式转入量产，实际量产时间距离当前较近。

对比此前版本的路线图可见，2025年7月22日的版本中，2纳米节点以虚线圆框标示，代表尚处于研发或准备阶段；而在12月16日更新的路线图中，2纳米节点已改为实线圆框，表明其已正式进入量产阶段。

台积电指出，N2技术采用第一代纳米片（Nanosheet，即GAA）晶体管结构，相较前代技术，在性能和功耗控制方面均有全面提升，将在芯片密度与能源效率方面达到行业领先水平，成为新一代先进半导体制造工艺。