三星发布新型铁电NAND闪存技术功耗降低96%

2025年11月27日，三星电子旗下先进研究机构宣布，已在国际学术期刊自然发表关于新型NAND Flash结构的重要研究成果。该论文题为用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管，首次系统揭示了通过融合铁电材料与氧化物半导体技术，实现NAND闪存功耗较现有方案降低96%的核心机制，属全球首创。

此项技术突破有望显著提升人工智能数据中心、移动终端等广泛领域的能效表现。作为主流的非易失性存储介质，NAND闪存在断电后仍可稳定保存数据，其基本原理依赖于向存储单元注入电子完成数据写入。为持续提升存储密度，行业普遍采用增加堆叠层数的方式构建芯片，但这一方式也导致数据读写过程中能耗大幅上升，尤其在高负载运行的数据中心环境中，功耗问题已成为制约发展的关键挑战。

此次研究成功解决了高密度存储与低功耗之间的矛盾，为未来高性能存储技术的发展提供了新的路径。