制程反超三星，消息称SK海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片

根据两家韩国姊妹媒体hankyung和KED Global的报道，SK海力士将为定制HBM4内存引入台积电代工的3nm基础裸片。随着HBM内存的演进，基础裸片承担了更复杂的工作，在HBM4代中，基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺并支持客户定制电路，以提升AI半导体运行效率。SK海力士的标准款HBM4仍采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则将升级至3nm制程。同时，三星电子的HBM4基础裸片将导入4nm制程。

据悉，SK海力士预计于2025年下半年推出首批HBM4产品，与三星电子的时间表大致相当。这些改变都是为了响应英伟达等美国大型科技企业的需求。