英伟达 Rubcin 芯片提前半年到来，3nm 技术加持下性能强劲

据摩根士丹利最新研究报告，NVIDIA下一代Rubin GPU的供应链已提前半年开始准备。预计推出时间从2026年上半年提前至2025年下半年。该芯片将采用3nm技术、CPO(共同封装光学元件)和HBM4(第六代高频宽内存)，预计台积电、京元电子、日月光将从中受益。

报告中提到，Blackwell芯片产量仍在增加，但由于其复杂性，台积电和供应链已开始为下一代 Rubcin 芯片做准备。京元电子预计将承担英伟达AI GPU的最终测试，并且该比例将达到2025年总营收的26%。摩根士丹利预计，由于 Rubcin 芯片尺寸几乎是Blackwell的两倍，可能包含四个运算芯片，因此预计台积电将在2026年进一步扩大CoWoS产能。

从长远来看，一些AI ASIC, 如AWS 的3nm AI 加速器，可能开始老化测试。而 Blackwell 的整个最终测试则将在 2025 年在京元电子进行。同时，根据台积电的 CoWoS-L 产能，B200/300 (双芯片版本)出货量可能在 2025 年达到约500万颗。