长鑫存储DRAM产能跃升逼近国际龙头，但2030年全球供需缺口达28.7EB

近期一份行业研究报告显示，长鑫存储的DRAM产能正进入快速增长阶段。预计其月度晶圆产能将新增60万至110万片，总产能有望提升至95万至145万片。其中，2026年底前即可实现35万片/月的量产水平。这一数字已接近当前国际主要厂商的产能规模，例如某国际头部企业今年预估产能约为37.5万片/月，表明国产存储厂商在短期内已具备与国际领先者相当的制造能力。

然而，整体供应增速仍难以匹配需求扩张节奏。报告预测，到2030年，全球DRAM总需求将达到157.5EB，而届时供应量仅约128.8EB，存在28.7EB的缺口，相当于当前全球DRAM总产能规模。

该预测涵盖标准DRAM及高带宽内存（HBM），但瓶颈主要集中于通用DRAM领域。预计届时通用DRAM年需求为120EB，而供应仅91EB，缺口达25%。在此供需格局下，DRAM均价预计将维持高位运行，大致处于每Gb 1.5至2.0美元区间。这一判断与近期业内多位高管关于2030年DRAM供应趋紧的公开表态相一致。

值得注意的是，上述预测尚未纳入物理人工智能相关应用带来的增量需求，例如人形机器人、高级别自动驾驶系统等新兴终端对内存的持续拉动。分析指出，即便数据中心与传统AI场景的需求预估已较为乐观，物理AI的快速渗透仍将显著放大整体需求压力。

从需求结构看，消费类市场占比持续萎缩，普通用户采购内存条等终端产品的实际需求，在未满足的总需求中所占份额已低于其他应用领域。这意味着，尽管国产存储产能大幅提升有利于供应链自主与产业韧性增强，但在AI驱动的结构性需求激增背景下，终端内存产品价格仍面临长期上行压力。