存储芯片价格飙涨 DRAM与NAND供需紧张持续

11月6日，市场研究机构集邦咨询于昨日发布分析报告，指出全球存储芯片市场正面临显著的价格上涨压力。在DRAM方面，受供应紧张影响，买家采购情绪高涨，普遍采取即报即买策略，推动现货市场价格快速攀升。NAND闪存市场同样呈现类似趋势，供应商通过控制出货量和减少供给维持高利润，导致市场交易稀少，价格持续上扬。

报告指出，本周DRAM现货市场出现明显的囤货现象，主要原因在于上游产能持续受限，同时部分主要模组厂商如金士顿主动缩减出货规模，进一步加剧了供应链的紧张局面。其他模组厂为应对库存短缺，纷纷加快补货节奏。尽管当前现货成交价与官方报价仍存在较大差距，但买方采购意愿不减，普遍希望通过提前储备应对后续可能的供应波动。

在需求强劲的背景下，DDR5芯片现货价格本周大幅上涨30%，反映出市场供需矛盾日益突出。短期内，供应紧张态势预计难以有效缓解，促使众多采购方提前布局，以保障今年底至明年第一季度的稳定供应。作为行业重要参考指标，主流DDR4芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已由上周的9.523美元升至本周的10.629美元，涨幅达11.61%。

NAND闪存市场方面，由于近期合约价格连续大幅上调，现货价格涨势更加明显。供应商为追求更高收益，仅有限释放晶圆产能。与此同时，手中持货的经销商普遍看好后市，惜售心理加重，造成市场上可交易货源极度稀缺，实际成交寥寥。在供应不断收紧的预期下，价格有望继续走高。本周，512Gb TLC晶圆现货价格已上涨14.21%，达到5.514美元。