英特尔突破氮化镓芯粒技术：全球最薄19微米硅基GaN芯粒实现异质集成

2026年4月9日，英特尔代工服务取得重要技术突破，成功研制出目前全球最薄的氮化镓芯粒。该芯粒所用硅基底厚度仅为19微米，相当于人类发丝直径的五分之一，由300毫米硅基氮化镓晶圆加工完成。

研发团队实现了氮化镓晶体管与传统硅基数字电路在单颗芯片上的异质集成，使电源管理芯粒本身即可执行复杂计算任务，无需依赖外部协处理器或辅助芯片。经多项严苛环境与长期运行测试，该技术展现出良好的稳定性与成熟度，具备明确的产业化应用前景。

该成果可显著提升数据中心电源稳压模块的集成密度与能效水平，同时充分发挥氮化镓材料在高频工作场景下的性能优势，适用于5G及未来6G通信基站的射频与供电系统。整个制造流程基于标准300毫米硅晶圆产线，与现有半导体制造设施完全兼容，无需额外建设专用产线或大规模更新设备。