AI驱动HBM扩产挤压DDR产能，全系列内存涨价蔓延至DDR2

当前存储芯片市场持续呈现涨价态势，涨幅之高已令业界习以为常。即便早已淡出主流应用、处于自然淘汰进程中的DDR2内存，近期也出现明显提价，幅度不容小觑。

此轮涨价的核心动因在于人工智能产业的迅猛发展。AI计算对高带宽内存HBM的需求远超预期，而HBM的生产在晶圆产能分配上占用大量资源，其单位产能消耗相当于通用型DDR内存的二点五至三倍，由此直接挤压了DDR系列内存的供应空间，供需失衡随之加剧。

在HBM价格上扬的带动下，DDR5、LPDDR5以及GDDR6和GDDR7等新一代内存产品同步跟涨，且涨幅居前。今年第一季度，上述品类平均涨幅超过百分之百。

DDR4内存的涨价早于DDR5，自去年上半年即已启动。主要原因在于头部厂商逐步缩减乃至终止DDR4产线，供给持续收缩，价格应声上行。

随着DDR4价格一度反超DDR5，部分原采用DDR4方案的平台——尤其在嵌入式等对成本与兼容性敏感的应用场景中——开始转向DDR3作为替代选择，从而推升了DDR3的需求与价格。这一替代效应进一步外溢，甚至波及早已退出主流市场的DDR2内存。据最新行业数据显示，今年三月，DDR3与DDR2内存价格环比上涨幅度达百分之二十至百分之四十，涨幅较此前更为显著。

值得留意的是，伴随价格连续多轮上调，当前整体价位已处于高位区间。展望后续走势，二季度起涨价势头有望趋缓。数据显示，一季度各类内存平均涨幅为百分之六十至百分之八十；进入二季度，预计收窄至百分之四十至百分之五十；下半年市场将逐步回归平稳，价格运行趋于收敛。