英特尔推出全球最薄19微米硅基氮化镓芯片，实现全单片集成与量产兼容

2026年4月9日，英特尔代工部门在半导体技术领域取得重要进展，成功研制出目前全球最薄的氮化镓芯片。该芯片所采用的硅基底厚度仅为19微米，相当于人类头发直径的五分之一。这一成果已在2025年国际电子器件会议（IEDM）上正式发布。

该氮化镓芯片基于标准300毫米硅晶圆制造，是首次在常规硅基产线环境中实现氮化镓器件的大规模工艺验证。尤为关键的是，研发团队实现了氮化镓功率晶体管与传统硅基数字逻辑电路在同一芯片上的全单片集成，构建出业界首个具备片上数字控制能力的氮化镓电源管理芯片。由此，电源系统不再需要额外配置独立控制芯片，显著降低了模块间信号传输带来的能量损耗。

氮化镓材料本身具备优异的物理特性：其功率密度远超传统硅基CMOS器件，可在更紧凑的封装中输出更高性能；更宽的带隙使其热稳定性大幅提升——硅基芯片在结温超过约150摄氏度时可靠性迅速劣化，而氮化镓器件可长期稳定运行于更高温度环境，从而有效缩减散热装置的体积与成本；同时，其高频响应能力出色，晶体管可在200吉赫兹以上频率下稳定工作，天然契合5G及未来6G通信系统对射频前端器件的严苛要求。

该技术已通过全部关键可靠性测试，满足实际部署所需的各项标准。在数据中心应用中，氮化镓芯片支持更快的开关速度与更低的能量转换损耗，使电压调节单元得以小型化、高效率化，并可紧邻处理器部署，大幅削弱长距离供电路径中的电阻性能量损失。在无线通信基础设施方面，其高频性能优势使其成为新一代基站射频前端的核心候选技术。此外，该方案亦适用于雷达系统、卫星通信以及光子集成等对高速电信号切换能力有突出需求的领域。

值得注意的是，整个制造流程完全依托标准300毫米硅晶圆平台，与现有硅基产线基础设施高度兼容，无需新建专属产线即可平稳推进量产转化。