三星成功研发混合键合HBM3内存 技术突破助力未来计算应用

三星电子高级管理人员最近透露，该公司成功完成采用16层混合键合HBM3内存技术验证，并制造出基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品。这些样品已正常运作，未来这种16层堆叠混合键合技术将用于量产HBM4内存量。

混合键合技术是一种新型的内存键合方式，相较于传统工艺，它具有显著优势。该技术摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，而是通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，从而大大提高了工作效率。这种创新不仅显著提升了信号传输速率，满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距，使得HBM模块的整体高度得到显著缩减，进一步提升了其集成度和便携性。

尽管混合键合技术成熟度和应用成本一直是业界关注的焦点，但三星电子通过多元化策略积极应对这些挑战。该公司在推进混合键合技术研究与应用的同时，也开发传统的TC-NCF工艺以增加技术多样性、降低风险，并增强整体竞争力。据悉，三星设定的目标是将HBM4中晶圆间隙缩减至7.0微米以内，这将进一步提升HBM4的性能和可靠性，并为未来的计算应用奠定坚实基础。

业内专家认为，三星在16层混合键合堆叠工艺技术方面的突破无疑将有力推动HBM内存技术的发展，为未来的计算应用提供更为强大的内存支持。