宇瞻科技预警：2027年DRAM或现三成供应缺口，内存与SSD价格将显著上涨

近期，内存模组制造商宇瞻科技负责人张凯惇指出，动态随机存取存储器市场可能于2027年出现显著供应缺口。据其预估，届时厂商整体出货量或将较2026年减少三成，由此可能推动市场价格再度上扬。

该负责人表示，2026年下半年内存价格仍将延续上升趋势，但涨幅将趋于平缓。目前对模组厂商而言，关键挑战已由芯片单价转向货源获取难度——供应稳定性成为运营重心。

造成供应趋紧的核心因素在于，全球主流DRAM制造企业正加速调整产线布局，优先保障面向人工智能应用的高带宽内存及高毛利的低功耗双倍数据率五代增强型内存产能。数据显示，当前约六成DRAM制造资源已被服务器领域所占用，普通台式与笔记本用内存模组产能相应承压，供给持续收紧。

宇瞻科技预测，第三季度DRAM合约价或上涨三成左右，NAND闪存价格涨幅亦有望突破两成。为防范潜在断供风险，公司已着手提升安全库存水平。

该公司同时强调，即便国内厂商加快扩产节奏，短期内亦难以填补结构性产能缺口。若上述趋势持续演进，至2027年，终端设备制造商及个人用户或将普遍面临内存与固态硬盘价格新一轮显著攀升。