全球科技巨头高薪抢夺韩国HBM人才，三星SK海力士面临严重外流压力

随着人工智能算力对高性能内存依赖日益加深，内存技术人才已成为全球科技竞争的关键要素。当前，美国多家头部科技企业正加速在韩国网罗存储领域核心研发力量，尤其聚焦于三星电子与SK海力士的资深工程师，意图强化自身在高带宽内存等前沿方向的技术能力，以应对韩企长期保持的产业优势。

近期，多家企业陆续释放相关岗位需求：某芯片设计公司于本月开放HBM开发工程师职位，提供基础年薪258750美元；另一消费电子巨头上月启动NAND产品工程师招聘，年薪达305600美元。中国台湾地区的一家半导体企业亦同步推进HBM工程师招募，开出约260000美元的薪酬待遇；而一家专注于无线通信技术的企业则开始在韩国定向延揽3D DRAM研发人员。

此外，两家在AI加速芯片生态中占据重要位置的企业，正加紧扩充其HBM技术团队：一家在硅谷增设性能评估工程师岗位，另一家则重点招募高频接口设计与验证方向的专家。一家以智能电动汽车及人工智能技术为核心业务的企业，其韩国分支机构发布的AI半导体设计师招聘信息，已由公司最高负责人公开推介。同时，一家全球领先的存储解决方案提供商自2025年下半年起持续加大人才引进力度，面向三星与SK海力士的核心HBM专家，提出薪资翻倍并叠加3亿韩元签约奖金的优厚条件。

在此背景下，韩国两大存储巨头面临显著的人才外流压力，被迫升级内部激励机制。SK海力士于2026年初发放的年度业绩奖金创下历史新高，相当于员工月薪的2964%；三星半导体部门亦同步推出强激励方案，发放金额达员工全年总薪酬的47%，为AI内存技术兴起以来的最高比例。