美企全球抢夺HBM人才，韩企高薪挽留加剧半导体人才战

二零二六年二月二十五日，随着高带宽内存在人工智能算力体系中的关键作用日益凸显，美国多家头部科技企业正加速在全球范围内延揽存储芯片领域顶尖人才，其中韩国成为重点目标区域。

三星电子与SK海力士作为全球领先的内存制造商，长期在技术积累与量产能力方面保持优势。为加快自身在先进内存架构上的研发进度，多家美国企业已启动针对这两家企业的工程师群体的定向招募计划。

近期，一家图形处理器厂商面向高带宽内存开发工程师开放职位，提供基础年薪二十七万五千美元；一家消费电子巨头则发布NAND产品工程师岗位，年薪达三十一万美元。中国台湾地区一家集成电路设计企业亦加入竞逐，为HBM相关岗位开出约二十六万美元的薪酬；另一家移动通信技术企业则在韩国启动3D DRAM研发人员招聘。

此外，一家互联网科技公司与其芯片合作伙伴正同步强化其高带宽内存人才储备，分别招募性能评估及高频接口设计验证方向的专业工程师。一家电动汽车与人工智能技术企业创始人更亲自转发其韩国分支机构发布的AI半导体设计岗位信息。一家专业存储芯片企业自去年下半年起持续从三星电子与SK海力士引进核心技术人员，据称对关键HBM专家提供的综合待遇包括原有薪资两倍的年薪及三千万韩元签约奖金。

受持续加剧的人才外流压力影响，两家韩国企业已大幅提升内部激励力度。SK海力士于二零二六年年初发放业绩奖金，金额相当于员工单月薪资的二十九点六四倍；三星半导体部门亦发放年度总薪酬百分之四十七的奖金，创下人工智能内存需求激增以来的历史新高。