SK海力士完成无锡DRAM工厂1a纳米制程升级

SK海力士已完成其位于中国无锡的DRAM工厂制程升级，全面从1z纳米节点过渡至更先进的1a纳米工艺。此次升级后，工厂月产能维持在18万至19万片12英寸晶圆之间，其中约90%的生产线已实现向1a制程的转换。在当前DRAM技术体系中，1z纳米属于10纳米级工艺的第三代，而1a纳米则标志着第四代技术，具备更高的集成度、更优的能效表现以及更强的性能输出。

随着制程的进步，每片晶圆可切割出的芯片数量显著增加，有助于提升产品竞争力与生产效益。此次技术跃迁使无锡工厂能够制造出性能更强、功耗更低的DRAM产品，进一步巩固其在全球存储供应链中的地位。

无锡工厂是SK海力士全球生产网络中的重要一环，承担着公司约30%至40%的DRAM产量，长期以来作为其主力生产基地发挥着关键作用。此前，由于外部环境变化，市场曾对先进设备获取受限可能带来的影响表示关注，担忧技术升级进程受阻或引发供应波动。目前来看，相关风险已通过企业策略调整得到有效应对。

值得注意的是，1a纳米制程的实现依赖极紫外光刻技术（EUV），而此类设备因出口管制规定无法直接引入国内。为解决这一难题，企业采用了“分段制造”模式：将需使用EUV的关键工艺环节设于韩国本土完成，之后将半成品晶圆运送至无锡厂区进行后续加工。尽管该方式在物流协调与生产管理上带来额外复杂性，并推高整体成本，但基于无锡基地的战略价值，企业仍持续推进制程迁移计划。

自2006年投入运营以来，SK海力士在无锡工厂累计投资已达数十万亿韩元，持续强化其制造能力。与此同时，公司在韩国正加快向更前沿的1c纳米节点（第六代10纳米级）迈进，相关先进产能主要集中于利川M14与M16工厂。

通过区域分工优化布局，无锡厂区专注于成熟制程的大规模稳定产出，韩国基地则聚焦高端产品如最新型DRAM及高带宽存储器（HBM）的研发与制造。这一双轨并行的策略既顺应了国际监管要求，也保障了企业在技术演进路径上的领先优势。