SK海力士完成无锡厂DRAM制程升级至1a纳米

1月19日消息，据韩国媒体报道，SK海力士已于近期完成对中国江苏无锡DRAM内存晶圆厂的制程升级工作，主要生产工艺已由1z纳米（第三代10纳米级）正式过渡至1a纳米（第四代10纳米级）。该工厂承担了SK海力士约三分之一的DRAM产能，在目前每月18至19万片12英寸晶圆的投片规模中，约九成已采用1a纳米工艺制造。

由于1a纳米制程需依赖EUV光刻技术，而相关设备受到进口管制限制，无锡厂区生产的1a纳米产品需送往韩国完成部分关键工序。这一安排确保了先进制程产品的持续推进，同时兼顾合规要求。

SK海力士方面对此项报道未作公开回应。